Каталог товаров
Подробные характеристики | |
Бренд | Samsung |
Емкость | 2 ТБ |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Назначение | для ноутбука и настольного компьютера |
Разъем | M.2 |
Интерфейсы | PCI-E |
Тип флэш-памяти | V-NAND 3-bit MLC |
Основные характеристики | |
Емкость | 2 ТБ |
Тип флэш-памяти | V-NAND 3-bit MLC |
Контроллер | Samsung Phoenix |
Назначение: | для ноутбука и настольного компьютера |
Форм-фактор | M.2 2280 |
Подключение | |
Интерфейсы | PCI-E |
Разъем | M.2 |
Тип разъема M.2 | 2280, M |
Тип PCI-E | PCI-E 3.0 x4 |
Параметры накопителя | |
Объем буфера | 2048 МБ |
Скорость чтения | 3500 МБ/с |
Скорость записи | 3300 МБ/с |
Скорость случайной записи (блоки по 4 КБ) | 560000 IOPS |
Ударостойкость и ресурс работы | |
Ударостойкость при работе | 1500 G |
Ударостойкость при хранении | 1500 G |
Время наработки на отказ | 1500000 ч |
Функции | |
Поддержка технологий | NVMe, TRIM, Поддержка секторов размером 4 КБ, Шифрование данных |
Дополнительно | |
Макс. рабочая температура | 70 °C |
Потребляемая мощность | 6 Вт |
Высота: | 2.38 мм |
Длина | 80.15 мм |
Ширина | 22.15 мм |
Вес | 8 г |
Дополнительная информация | NVMe 1.3 |